全硅RC缓冲电路 改善MOSFET电路振铃问题

迈来芯推出一款1200V单片式硅基RC缓冲电路,适配车载及多类碳化硅功率模块,用于优化功率器件工作状态。

全硅RC缓冲电路 改善MOSFET电路振铃问题_http://www.hnzqjt.cn_行业资讯_第1张迈来芯 MLX91299 硅基 RC 缓冲电路实物图

碳化硅器件广泛应用于电动车逆变器、光伏逆变器、储能设备等高电压电能转换场景。该类器件开关速度较快,容易产生电压瞬变与寄生振荡,出现电路振铃现象。

电路振铃会增加器件电气负荷,产生漏电流与局部温升,影响系统稳定性,同时加大电磁干扰。

行业一般采用缓冲电路改善该问题。传统分立阻容缓冲结构,适配碳化硅高频工况的能力有限,存在散热一般、寄生电感偏高的问题。

MLX91299将在2026年PCIM展会展出,专为碳化硅功率模块设计。芯片集成串联电阻与电容,尺寸仅1.5×5毫米,可贴近开关器件布置,抑制电路振铃,降低电压尖峰。

该器件能够平缓电路振荡,优化开关状态,可降低最高50%开关损耗,辅助提升系统效率,降低散热设计压力。产品耐压规格为1200V,击穿电压超1500V,适配1000V及以下直流母线电压,可配置在碳化硅模块各个开关回路中。

电路振铃成因与缓冲电路作用

为优化电源效率与功率密度,行业普遍使用碳化硅、氮化镓高频器件。高频开关可以缩小无源器件体积,同时会放大电路寄生参数带来的影响。

电路板走线、器件封装存在寄生电感,功率管自带寄生电容,二者构成谐振回路,开关过程中容易出现电压过冲和振荡。

电路振铃会增加开关损耗,极端情况下造成功率管误导通,产生额外损耗,同时生成电磁干扰,影响电路工作。

RC缓冲网络用于抑制电压波动与振荡。开关断开时,缓冲电路储存多余电能,再以热能方式释放。单纯电容仅能压制电压尖峰,搭配电阻可优化电压峰值、缩短振荡时长。

合理配置缓冲电路,可保护功率器件,适配高频工作环境,减少非正常导通损耗,优化系统运行状态。

全硅缓冲电路参数与应用优势

这款全硅缓冲电路适配碳化硅宽禁带器件,削弱回路寄生电感引发的振荡,平稳实现高频开关动作。

器件电容范围0.2~5.8nF,内置电阻1~35Ω,厂商可根据电路参数出厂定制,适配不同的浪涌抑制需求。

产品主要面向车载领域,可用于电动车牵引逆变器、车载充电机,改善电压振荡,降低电机漏电流。

器件背部支持焊接、烧结工艺,可贴合覆铜陶瓷基板,散热路径贴合功率器件,减少模块热点,可在200℃结温环境下稳定工作。

同等功率条件下,该器件可简化散热结构、控制物料成本;在散热条件不变时,可提升功率密度,合理规划器件数量,维持系统稳定性能。