Power Integrations研发的反激拓扑架构取得技术突破，将反激变换器的功率适用范围拓展至440 瓦，可有效降低系统成本、设计复杂度与开发周期，性能超越结构更复杂的传统谐振及 LLC 拓扑方案。

TOPSwitchGaN 反激 IC 系列融合了公司自研PowiGaN 氮化镓技术与经典 TOPSwitch 芯片架构。全新拓扑不仅简化电路架构、缩短设计周期，还可让多数应用省去散热片。

该系列器件堪称电源设计的根本性变革，把反激电源带入以往无法企及的功率区间，以极简架构实现高效率与高性能表现。

TOPSwitchGaN 芯片在10%～100% 全负载区间效率最高可达 92%，待机与关机功耗低于 50 毫瓦，无需同步整流。PowiGaN 开关管具备更低的导通电阻（RDS (on)），显著降低导通损耗，大幅提升反激变换器的功率承载能力。

芯片内置800V PowiGaN 开关管，浪涌抗扰能力优异、开关损耗低，最高工作开关频率可达150kHz，可大幅缩小变压器体积。在 230V 交流输入下，含线路检测功能的空载功耗低于 50 毫瓦；同时在 230V 交流待机工况下，仅需 300 毫瓦输入功率，即可输出最高 210 毫瓦，满足系统后台值守电路供电需求。

薄型eSOP-12 表面贴装封装无需外加散热片，即可实现135W（85～265V 交流）功率输出；立式eSIP-7 封装占用 PCB 面积更小，热阻抗性能媲美 TO-220 封装器件。

如需应对高功率严苛应用，加装金属散热片可进一步拓宽功率覆盖范围。TOPSwitchGaN 引脚与 TinySwitch-5 离线开关芯片 硬件引脚完全兼容，设计师可沿用同一套设计思路，覆盖10W 至 440W全功率应用场景。